onsemi Einfach QFET Typ P, Typ P-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 200 V Erweiterung / 3.4 A 38 W,

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RS Best.-Nr.:
145-4635
Herst. Teile-Nr.:
FQPF5P20
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220F

Serie

QFET

Montageart

Durchsteckmontage, Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

10nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

38W

Durchlassspannung Vf

5V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Einfach

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.9 mm

Länge

10.36mm

Höhe

16.07mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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