onsemi UniFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 4.5 A 33.8 W, 3-Pin FDPF6N60ZUT TO-220F

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.39.40

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 50 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 +CHF.0.788CHF.39.22

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
145-4673
Herst. Teile-Nr.:
FDPF6N60ZUT
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

4.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

UniFET

Gehäusegröße

TO-220F

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

14.5nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Maximale Verlustleistung Pd

33.8W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

16.07mm

Breite

4.9 mm

Länge

10.36mm

Automobilstandard

Nein

UniFET™ N-Kanal-MOSFET, Fairchild Semiconductor


MOSFET UniFET™ ist die Hochspannungs-MOSFET-Familie von Fairchild Semiconductor. Diese weist den kleinsten Durchlasswiderstand unter den ebenflächigen MOSFETs auf und bietet außerdem eine überlegene Schaltleistung und höhere Stoßentladungsenergiestärke. Zusätzlich sorgt die interne gattergespeiste ESD-Diode dafür, dass der MOSFET UniFET-II™ Überspannungsbelastungen von über 2000 V HBM standhalten kann.

UniFET™ MOSFETs sind für Schaltleistungskonverter-Anwendungen geeignet, z. B. Leistungsfaktorkorrektur (PFC), Flachbildschirm (FPD)TV-Leistung, ATX (Advanced Technology eXtended) und Vorschaltgeräte für elektronische Lampen.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links