onsemi QFET Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 250 V / 10.5 A 150 W, 3-Pin FQA9P25 TO-3PN
- RS Best.-Nr.:
- 145-5474
- Herst. Teile-Nr.:
- FQA9P25
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 145-5474
- Herst. Teile-Nr.:
- FQA9P25
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | TO-3PN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.62Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Durchlassspannung Vf | 5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.8mm | |
| Höhe | 20.1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße TO-3PN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.62Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Durchlassspannung Vf 5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.8mm | ||
Höhe 20.1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
P-Kanal-MOSFET QFET®, Fairchild Semiconductor
Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 300 V / 43 A, 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 140 A 375 W, 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 70 A 214 W, 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 8 A 225 W, 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 40 A 280 W, 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 23 A 310 W, 3-Pin TO-3PN
- onsemi QFET P-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 1,8 A 42 W, 8-Pin MLP8
- onsemi QFET P-Kanal, THT MOSFET 60 V / 27 A 120 W, 3-Pin TO-220AB
