Texas Instruments NexFET CSD17579Q3AT N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 3,2 W, 8-Pin VSCONP
- RS Best.-Nr.:
- 145-7677
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17579Q3AT
- Marke:
- Texas Instruments
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 145-7677
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17579Q3AT
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 11 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | VSCONP |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 14,2 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Verlustleistung max. | 3,2 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 3.5mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 5,3 nC @ 4,5 V |
| Länge | 3.5mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Serie | NexFET |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 0.9mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V |
- RS Best.-Nr.:
- 145-7677
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17579Q3AT
- Marke:
- Texas Instruments