OptiMOS 2N7002DWH6327XTSA1 N-Kanal, Dual MOSFET, 60 V / 300 mA, 500 mW, SOT-363 (SC-88) 6-Pin

  • RS Best.-Nr. 145-9487
  • Herst. Teile-Nr. 2N7002DWH6327XTSA1
  • Marke Infineon
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

Infineon OptiMOS™-Zweifach-Leistungs-MOSFET

MOSFET-Transistoren, Infineon

Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 300 mA
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOT-363 (SC-88)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 6
Drain-Source-Widerstand max. 4 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 2.5V
Gate-Schwellenspannung min. 1.5V
Verlustleistung max. 500 mW
Transistor-Konfiguration Isoliert
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 2
Höhe 0.8mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 0,4 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Länge 2mm
Breite 1.25mm
Betriebstemperatur min. –55 °C
Transistor-Werkstoff Si
Serie OptiMOS
21000 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 3000)
CHF .0.059
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +
CHF.0.059
CHF.189.567
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