Infineon Isoliert HEXFET Typ P, Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 4000 Stück)*

CHF.1’220.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 17. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
4000 +CHF.0.305CHF.1’234.80

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
145-9491
Herst. Teile-Nr.:
IRF9952TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P, Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

400mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Durchlassspannung Vf

0.82V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.1nC

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4 mm

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 2,3A/3,5A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 2W maximale Verlustleistung - IRF9952TRPBF


Dieser vielseitige MOSFET bietet eine hohe Leistung in einem kompakten Gehäuse, in dem sowohl N-Kanal- als auch P-Kanal-Konfigurationen integriert sind. Es ist für den effektiven Einsatz in verschiedenen elektronischen Anwendungen konzipiert und gewährleistet Effizienz und Zuverlässigkeit. Mit einem maximalen Drain-Strom von 3,5 A und einer maximalen Drain-Source-Spannung von 30 V ist er für Anwendungen geeignet, die robuste Schaltfunktionen erfordern.

Eigenschaften und Vorteile


• Zweikanalige Konfiguration erhöht die Designflexibilität

• Oberflächenmontage vereinfacht die PCB-Bestückung

• Niedriger Widerstand (150mΩ und 400mΩ) reduziert den Leistungsverlust

• Hochtemperaturbetrieb (+150°C) gewährleistet Zuverlässigkeit unter extremen Bedingungen

• Verbesserte Gate-Ladungscharakteristik erhöht die Schalteffizienz

• Isolierte Transistorkonfiguration minimiert das Übersprechen für sauberere Signale

Anwendungsbereich


• Lösungen für das Energiemanagement

• Elektrische Fahrzeugsysteme für mehr Effizienz

• Industrielle Automatisierung und Steuerung

• Erneuerbare Energiesysteme für optimale Leistung

• Unterhaltungselektronik für verbesserte Geräteleistung

Welchen Nutzen hat die Isolierung dieses Geräts für meine Anwendung?


Die isolierte Konfiguration minimiert Interferenzen zwischen den Schaltkreisen, gewährleistet saubere Signale und verhindert unerwünschte Wechselwirkungen zwischen den Komponenten.

Welchen Temperaturbereich kann dieses Gerät im Betrieb bewältigen?


Er kann in einem Temperaturbereich von -55°C bis +150°C betrieben werden und ist damit für extreme Bedingungen geeignet.

Kann ich dieses Produkt in meinem oberflächenmontierten PCB-Design verwenden?


Ja, das oberflächenmontierbare Design ermöglicht eine einfache Integration in PCB-Layouts, optimiert den Platzbedarf und verbessert die thermische Leistung.

Welche Faktoren sollte ich beachten, wenn ich sie für Schaltanwendungen verwende?


Stellen Sie sicher, dass die maximale Gate-Source-Spannung von ±20 V nicht überschritten wird, und überprüfen Sie, ob die Gate-Ladung mit Ihrer Schaltfrequenz übereinstimmt, um eine optimale Leistung zu erzielen.

Wie wirken sich die Spezifikationen auf meine Energieeffizienz aus?


Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand und dem hohen kontinuierlichen Drain-Strom trägt dieser MOSFET zu einer minimalen Verlustleistung bei und verbessert so die Gesamtenergieeffizienz in Ihren Schaltungsdesigns.

Verwandte Links