Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 145-9494
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFS3806TRLPBF
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 43A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 71W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 9.65mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 71W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 9.65mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Infineon HEXFET Serie MOSFET, 43A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 71W maximale Verlustleistung - IRFS3806TRLPBF
Dieser MOSFET wurde für eine optimale Leistung bei Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad entwickelt. Seine Enhancement-Mode-Konfiguration ist von zentraler Bedeutung für die Energieverwaltung und wird in verschiedenen elektronischen Systemen in großem Umfang eingesetzt. Es unterstützt effizientes Schalten und Signalverstärkung, was für Bereiche wie Automatisierung, Elektronik, Elektroindustrie und Maschinenbau unerlässlich ist.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe Dauerstrombelastbarkeit von bis zu 43 A
• Effizienter Betrieb mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V
• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste
• Hochtemperaturtauglichkeit mit einem Bereich bis zu +175°C
• Platzsparendes Design für die Oberflächenmontage
• Verbesserte Robustheit gegenüber dynamischen Belastungen für konstante Leistung
Anwendungsbereich
• Ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltszenarien
• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen
• Anwendbar bei synchroner Gleichrichtung in Schaltnetzteilen
• Geeignet für hart geschaltete und hochfrequente Schaltungen
Wie hoch ist die maximale Gate-to-Source-Spannung?
Die maximale Gate-to-Source-Spannung für dieses Bauteil beträgt -20V bis +20V, was Flexibilität bei verschiedenen Schaltungsdesigns ermöglicht.
Wie wirkt sich der Einschaltwiderstand auf die Verlustleistung aus?
Der geringere Einschaltwiderstand minimiert die Verlustleistung während des Betriebs, was zu einer verbesserten Effizienz und thermischen Leistung führt.
Wie hoch ist die typische Gebühr für die Einreise?
Die typische Gate-Ladung bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V beträgt 22 nC, was schnelle Schaltvorgänge ermöglicht.
Ist sie mit oberflächenmontierten PCB-Designs kompatibel?
Ja, das oberflächenmontierbare Design ist für moderne Leiterplattenlayouts geeignet und erleichtert die Integration in kompakte elektronische Geräte.
Welche Faktoren sollten beim Einsatz von MOSFETs in Hochtemperaturanwendungen berücksichtigt werden?
Beim Betrieb bei hohen Temperaturen ist auf ein angemessenes Wärmemanagement zu achten, um die maximale Betriebstemperatur von +175°C einzuhalten.
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