Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-263

RS Best.-Nr.:: 145-9494
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3806TRLPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 43 A 71 W, 3-Pin TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 145-9494
Herst. Teile-Nr.:: IRFS3806TRLPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	43A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	60V
	Gehäusegröße	TO-263
	Serie	HEXFET
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15.8mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	71W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.67mm
	Höhe	4.83mm
	Breite	9.65 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 60V
	Gehäusegröße TO-263
	Serie HEXFET
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15.8mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 71W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.67mm
	Höhe 4.83mm
	Breite 9.65 mm
	Automobilstandard Nein

Ursprungsland:: CN

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 43A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 71W maximale Verlustleistung - IRFS3806TRLPBF

Dieser MOSFET wurde für eine optimale Leistung bei Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad entwickelt. Seine Enhancement-Mode-Konfiguration ist von zentraler Bedeutung für die Energieverwaltung und wird in verschiedenen elektronischen Systemen in großem Umfang eingesetzt. Es unterstützt effizientes Schalten und Signalverstärkung, was für Bereiche wie Automatisierung, Elektronik, Elektroindustrie und Maschinenbau unerlässlich ist.

Eigenschaften und Vorteile

• Hohe Dauerstrombelastbarkeit von bis zu 43 A

• Effizienter Betrieb mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V

• Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste

• Hochtemperaturtauglichkeit mit einem Bereich bis zu +175°C

• Platzsparendes Design für die Oberflächenmontage

• Verbesserte Robustheit gegenüber dynamischen Belastungen für konstante Leistung

Anwendungsbereich

• Ideal für Hochgeschwindigkeits-Schaltszenarien

• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungssystemen

• Anwendbar bei synchroner Gleichrichtung in Schaltnetzteilen

• Geeignet für hart geschaltete und hochfrequente Schaltungen

Wie hoch ist die maximale Gate-to-Source-Spannung?

Die maximale Gate-to-Source-Spannung für dieses Bauteil beträgt -20V bis +20V, was Flexibilität bei verschiedenen Schaltungsdesigns ermöglicht.

Wie wirkt sich der Einschaltwiderstand auf die Verlustleistung aus?

Der geringere Einschaltwiderstand minimiert die Verlustleistung während des Betriebs, was zu einer verbesserten Effizienz und thermischen Leistung führt.

Wie hoch ist die typische Gebühr für die Einreise?

Die typische Gate-Ladung bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V beträgt 22 nC, was schnelle Schaltvorgänge ermöglicht.

Ist sie mit oberflächenmontierten PCB-Designs kompatibel?

Ja, das oberflächenmontierbare Design ist für moderne Leiterplattenlayouts geeignet und erleichtert die Integration in kompakte elektronische Geräte.

Welche Faktoren sollten beim Einsatz von MOSFETs in Hochtemperaturanwendungen berücksichtigt werden?

Beim Betrieb bei hohen Temperaturen ist auf ein angemessenes Wärmemanagement zu achten, um die maximale Betriebstemperatur von +175°C einzuhalten.