onsemi Einfach QFET Typ N-Kanal 1 MOSFET 800 V Erweiterung / 3.9 A 3.13 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 146-2064
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB4N80TM
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.588.00
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.0.735 | CHF.588.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 146-2064
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB4N80TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | QFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.13W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie QFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.13W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-MOSFET QFET®, bis zu 5,9 A, Fairchild Semiconductor
Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
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Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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