onsemi Einfach QFET Typ N-Kanal 1 MOSFET 800 V Erweiterung / 3.9 A 3.13 W, 3-Pin TO-263 FQB4N80TM
- RS Best.-Nr.:
- 146-2064
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB4N80TM
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 800 Stück)*
CHF.588.00
Wird eingestellt
- Letzte 800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.0.735 | CHF.588.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 146-2064
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB4N80TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | QFET | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.13W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie QFET | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.13W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Höhe 4.83mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- MY
N-Kanal-MOSFET QFET®, bis zu 5,9 A, Fairchild Semiconductor
Die neuen QFET® Planar-MOSFETs von FairFairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie, um die beste Betriebsleistung für eine Vielzahl von Anwendungen zu bieten, einschließlich Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasma-Anzeigetafeln (PDP), Beleuchtungsvorrichtungen und Bewegungssteuerung.
Sie bieten einen reduzierten Einschaltverlust durch Senkung des Einschaltwiderstands (RDS(on)), und einen reduzierten Schaltverlust durch Senkung der Gate-Ladung (Qg) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch den Einsatz der Advanced QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild eine verbesserte Leistung (FOM) gegenüber konkurrierenden Planar-MOSFET-Geräten bieten.
MOSFET-Transistoren, ON Semi
><
Semi-MOSFETs von ON bieten eine überlegene Konstruktionszuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überspannungen bis hin zu einer niedrigeren Anschlusskapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi P-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 11,5 A 3,13 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi QFET N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 55 A 3,75 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 1,5 A 35 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 3 A 39 W, 3-Pin TO-220F
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 5,5 A 158 W, 3-Pin TO-220AB
- onsemi QFET N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 8 A 178 W, 3-Pin TO-220AB
- Vishay E-Series N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 4,4 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- onsemi NTB5D0N N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 139 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)