ROHM R6025FNZ1C9 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 25 A 446 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 150-1484
- Herst. Teile-Nr.:
- R6025FNZ1C9
- Marke:
- ROHM
Nicht mehr im Sortiment
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- 150-1484
- Herst. Teile-Nr.:
- R6025FNZ1C9
- Marke:
- ROHM
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Geringer Widerstand im eingeschalteten ZustandSchnelle SchaltgeschwindigkeitGate-Source-Spannung (VGSS) garantiert ±30 VEinfache Antriebskreise möglichParallele Nutzung ist einfachBleifreie Kabelbeschichtung, RoHS-konform
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 25 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 600 V |
| Gehäusegröße | TO-247 |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 280 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 446 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | ±30 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 5.21mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 85 nC @ 10 V |
| Länge | 16.13mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.5V |
| Höhe | 21.34mm |