Nexperia N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 270 mA 1.67 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 151-2761
- Herst. Teile-Nr.:
- NX7002BKR
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 250 Stück)*
CHF.12.75
Auf Lager
- Zusätzlich 1'250 Einheit(en) mit Versand ab 07. September 2026
- Zusätzlich 15'000 Einheit(en) mit Versand ab 21. Oktober 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 250 - 250 | CHF 0.051 | CHF 11.62 |
| 500 - 1000 | CHF 0.04 | CHF 10.86 |
| 1250 - 2250 | CHF 0.03 | CHF 6.82 |
| 2500 + | CHF 0.03 | CHF 6.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-2761
- Herst. Teile-Nr.:
- NX7002BKR
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 270mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.67W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 270mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.67W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFETs auf Logik- und Standardebene in einer Vielzahl von Gehäusen. Probieren Sie unsere robusten und einfach zu bedienenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres umfangreichen MOSFET-Bauteilportfolios sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltleistungen und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA)
N-Kanal-Trench-MOSFET (60 V), N-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23-(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
Kompatibel mit Logik-EbeneSehr schnelle SchaltungTrench MOSFET-TechnologieSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 2 kV HBM
Verwandte Links
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 270 mA 1.67 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia BSN20BK Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 330 mA 1.67 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.1 A 8.36 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3 A 4.5 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1 A 5 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.3 A 5.44 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.6 A 4.15 W, 3-Pin SOT-23
- Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.7 A 3.9 W, 3-Pin SOT-23