Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 270 mA 1.67 W, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
151-2761
Herst. Teile-Nr.:
NX7002BKR
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

270mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

1nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

1.67W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.4 mm

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
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N-Kanal-Trench-MOSFET (60 V), N-Kanal-Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23-(TO-236AB)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Kompatibel mit Logik-EbeneSehr schnelle SchaltungTrench MOSFET-TechnologieSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 2 kV HBM

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