Nexperia PMDXB600UNEZ N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 600 mA 4025 mW, 8-Pin DFN1010B-6

N-Kanal-MOSFETs ≤ 20 V. Holen Sie sich die optimalen Schaltlösungen für Ihre tragbaren Designs. Wählen Sie aus einer breiten Palette von ein- und zweikanaligen N-Kanal-MOSFETs bis zu 20 V. Hohe Zuverlässigkeit durch unsere bewährten TrenchMOS- und Gehäusetechnologien. Unsere einfach zu bedienenden Niederspannungs-MOSFETs wurden speziell für die Anforderungen tragbarer Anwendungen mit niedrigen Antriebsspannungen entwickelt.

Duales N-Kanal-Trench-MOSFET (20 V), duales N-Kanal-Verbesserungsmodus Feldeffekttransistor (FET) in einem kabellosen ultrakleinen DFN1010D-6 (SOT1216)-SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-TechnologieUltrakleines und ultraflaches drahtloses SMD-Kunststoffgehäuse: 1,1 x 1,0 x 0,37 mmFreiliegender Ableitungs-Pad für hervorragende WärmeleitungSchutz gegen elektrostatische Entladung (ESD) > 1 kV HBMDurchlasswiderstand der Entwässerungsquelle im eingeschalteten Zustand RDSon = 470 mΩ