Nexperia Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 61 A 91 W, 4-Pin LFPAK

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Herst. Teile-Nr.:
PSMN011-60MSX
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

61A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

LFPAK

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

4

Drain-Source-Widerstand Rds max.

24.4mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

91W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

0.9mm

Breite

2.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

3.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFETs, 40 V – 60 V, MOSFETs mit Logik- und Standardpegel in einer Vielzahl von Gehäusen. Entdecken Sie unsere robusten und einfach zu verwenden MOSFETs im Bereich von 40 V bis 60 V, die Teil unseres massiven Portfolios von MOSFET-Bauelementen sind. Sie eignen sich perfekt für platz- und leistungskritische Anwendungen und bieten exzellente Schaltperformance und einen erstklassigen, sicheren Betriebsbereich (SOA).

N-Kanal-MOSFET mit Standardhebel für 60 V 11,3 mΩ in LFPAK33, N-Kanal-MOSFET für Standardpegel, Anreicherungstyp, in LFPAK33-Gehäuse. Dieses Produkt wurde für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen in Industrie-, Kommunikations- und Haushaltsgeräten entwickelt und zugelassen.

Hoher Wirkungsgrad aufgrund der geringen Schalt- und Leitungsverluste

Geeignet für Gate-Ansteuerungsquellen mit Standardpegel

Das LFPAK33-Gehäuse hat kompatible Abmessungen mit anderen 3,3-mm-Ausführungen

Zugelassen bis 175 °C

AC/DC-Wandler

Synchrone Gleichrichtung

DC/DC-Konverter

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