Nexperia PMDXB950UPEZ P-Kanal Dual, SMD MOSFET –20 V / 500 mA 4025 mW, 8-Pin DFN1010B-6

P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.

Zweifach-P-Kanal Trench-MOSFET für 20 V, Zweifach-P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie
Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 1 kV HBM
Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle RDSon = 1,02 Ω
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen