PMDXB950UPEZ P-Kanal, Hex MOSFET, –20 V / –500 mA, 4025 mW, DFN1010B-6, SOT1216 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 153-0725
  • Herst. Teile-Nr. PMDXB950UPEZ
  • Marke Nexperia
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Produktdetails

P-Kanal-MOSFETs sind die perfekte Lösung für Ihre Konstruktion, wenn N-Kanäle einfach nicht geeignet sind. Unser umfangreicher MOSFET-Katalog enthält auch viele P-Kanal-Gerätefamilien, die auf der führenden Trench-Technologie von Nexperia basieren. Mit Nennspannungen von 12 V bis 70 V und in Niedrig- und Mittelspannungsgehäusen untergebracht bieten sie unsere gewohnte Mischung aus hoher Effizienz und Zuverlässigkeit.

Zweifach-P-Kanal Trench-MOSFET für 20 V, Zweifach-P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem extrem kleinen DFN1010B-6 (SOT1216) SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie
Extrem kleines und ultradünnes SMD-Kunststoffgehäuse ohne Kabel: 1,1 x 1,0 x 0,37 mm
Freiliegendes Drain-Pad für ausgezeichnete Wärmeleitung
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 1 kV HBM
Durchlasswiderstand zwischen Drain und Quelle RDSon = 1,02 Ω
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ P
Dauer-Drainstrom max. –500 mA
Drain-Source-Spannung max. –20 V
Gehäusegröße DFN1010B-6, SOT1216
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 3,5 Ω
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. -0.95V
Gate-Schwellenspannung min. -0.45V
Verlustleistung max. 4025 mW
Gate-Source Spannung max. 8 V
Anzahl der Elemente pro Chip 6
Breite 1.05mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Höhe 0.36mm
Länge 1.15mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 1,19 nC
5000 lieferbar innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 5000)
CHF .0.105
(ohne MwSt.)
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
5000 +
CHF.0.105
CHF.520.724
*Bitte VPE beachten