Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.3 A 5.44 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 153-1886P
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV30XPEAR
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme 250 Stück (geliefert auf Rolle)*
CHF.57.75
Vorübergehend ausverkauft
- 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 22. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 250 - 600 | CHF.0.231 |
| 625 - 1225 | CHF.0.20 |
| 1250 - 2475 | CHF.0.168 |
| 2500 + | CHF.0.168 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 153-1886P
- Herst. Teile-Nr.:
- PMV30XPEAR
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -5.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 57mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 5.44W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Breite | 1.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -5.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 57mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 5.44W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Breite 1.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.
Trench MOSFET-Technologie
Sehr schnelle Schaltung
Verbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 980 mW
Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM
AEC-Q101-qualifiziert
Relaistreiber
Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber
High-Side-Lastschalter
Schalten von Stromkreisen