Nexperia Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -5.3 A 5.44 W, 3-Pin SOT-23

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Herst. Teile-Nr.:
PMV30XPEAR
Marke:
Nexperia
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Marke

Nexperia

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-5.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-20V

Gehäusegröße

SOT-23

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

57mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

5.44W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1mm

Länge

3mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

P-Kanal-Trench-MOSFET für 20 V, P-Kanal Anreicherungstyp-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) SMD-Kunststoffgehäuse mit Trench MOSFET-Technologie.

Trench MOSFET-Technologie

Sehr schnelle Schaltung

Verbessertes Verlustleistungsvermögen: Ptot = 980 mW

Schutz gegen elektrostatische Entladung (ESD): > 2 kV HBM

AEC-Q101-qualifiziert

Relaistreiber

Hochgeschwindigkeits-Leitungstreiber

High-Side-Lastschalter

Schalten von Stromkreisen

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