Vishay SI1077X-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 760 mA 236 mW, 6-Pin SC-89-6
- RS Best.-Nr.:
- 159-6521
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1077X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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- SI1077X-T1-GE3
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- Vishay
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
P-Kanal MOSFET, 30 V bis 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 760 mA |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SC-89-6 |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 244 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.7V |
| Verlustleistung max. | 236 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -12 V, +12 V |
| Länge | 1.7mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 1.2mm |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 4,43 nC @ 4,5 V |
| Höhe | 0.6mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 159-6521
- Herst. Teile-Nr.:
- SI1077X-T1-GE3
- Marke:
- Vishay