Infineon IRF3710ZS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 59 A 160 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 162-3302P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (10 Stück, auf Gurtabschnitt geliefert)*
CHF 17.07
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|---|---|
| 10 + | CHF 1.707 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 162-3302P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3710ZSTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 59A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IRF3710ZS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 82nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 160W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 59A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IRF3710ZS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 82nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 160W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieser Konstruktion: Sperrschichtbetriebstemperatur von 175 °C, hohe Schaltgeschwindigkeit und eine bessere Bewertung wiederholter Lawinen. Diese Eigenschaften machen diese Konstruktion zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Fortschrittliche VerfahrenstechnologieSehr niedriger EinschaltwiderstandDynamische dv/dt-BewertungBetriebstemperatur von 175 °CSchnelle SchaltgeschwindigkeitWiederholte Lawine bis Tjmax erlaubtBleifrei