Texas Instruments NexFET CSD17308Q3 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 47 A 2,7 W, 8-Pin SON
- RS Best.-Nr.:
- 162-8541
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17308Q3
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- MY
Produktdetails
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 47 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | SON |
| Serie | NexFET |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 16,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.8V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.9V |
| Verlustleistung max. | 2,7 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +10 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,9 nC @ 4,5 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 3.4mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Breite | 3.4mm |
| Höhe | 1.1mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 162-8541
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD17308Q3
- Marke:
- Texas Instruments