Texas Instruments NexFET CSD25304W1015T P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3 A 750 mW, 6-Pin DSBGA
- RS Best.-Nr.:
- 162-9740
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25304W1015T
- Marke:
- Texas Instruments
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- PH
Produktdetails
P-Kanal-Leistungs-MOSFET NexFET™, Texas Instruments
MOSFET-Transistoren, Texas Instruments
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | P |
| Dauer-Drainstrom max. | 3 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 20 V |
| Serie | NexFET |
| Gehäusegröße | DSBGA |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 6 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 92 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 1.15V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 0.55V |
| Verlustleistung max. | 750 mW |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –8 V, +8 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,3 nC @ 4,5 V |
| Länge | 1mm |
| Breite | 1.5mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1V |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
- RS Best.-Nr.:
- 162-9740
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25304W1015T
- Marke:
- Texas Instruments