MagnaChip MDD1903RH N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 12,8 A 36,8 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Nicht mehr im Sortiment

Mehr Infos und technische Dokumente

Diese Niederspannungs-MOSFETs (LV) bieten niedrigen Durchlasswiderstand und schnelle Schaltleistung.

MOSFET-Transistoren, MagnaChip

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	12,8 A
Drain-Source-Spannung max.	100 V
Gehäusegröße	DPAK (TO-252)
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	110 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	3V
Verlustleistung max.	36,8 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Breite	6.22mm
Länge	6.73mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Gate-Ladung typ. @ Vgs	8,8 nC @ 10 V
Diodendurchschlagsspannung	1.2V
Betriebstemperatur min.	–55 °C
Höhe	2.39mm