onsemi NTMS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11.4 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
163-1135
Herst. Teile-Nr.:
NTMS4177PR2G
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

NTMS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

19mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Durchlassspannung Vf

-1V

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH

P-Kanal Leistungs-MOSFET, 30 V bis 500 V, ON Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semiconductor


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