Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.2 A 6 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 165-6285
- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4431EY-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQ4431EY-T1_GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | SQ Rugged | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 52mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 6W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 25nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | -1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.55mm | |
| Länge | 5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie SQ Rugged | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 52mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 6W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 25nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf -1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.55mm | ||
Länge 5mm | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
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