Vishay SQ Rugged Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.2 A 6 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-6285
Herst. Teile-Nr.:
SQ4431EY-T1_GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ P

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

SQ Rugged

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

52mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

-1.1V

Maximale Verlustleistung Pd

6W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

4 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.55mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
CN

P-Kanal-MOSFET, SQ robuste Serie, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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