STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 450 V / 600 mA 2 W, 4-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 165-6495
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3N45K3
- Marke:
- STMicroelectronics
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- 165-6495
- Herst. Teile-Nr.:
- STN3N45K3
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- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 600mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 450V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.8Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 3.7 mm | |
| Länge | 6.7mm | |
| Höhe | 1.8mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 600mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 450V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.8Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 3.7 mm | ||
Länge 6.7mm | ||
Höhe 1.8mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ K3-Serie, SuperMESH3™, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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