Vishay Si2366DS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 165-6910
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2366DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.363.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 15. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF 0.121 | CHF 369.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 165-6910
- Herst. Teile-Nr.:
- SI2366DS-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | Si2366DS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 42mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.85V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.1W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.02mm | |
| Länge | 3.04mm | |
| Breite | 1.4mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie Si2366DS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 42mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.85V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.1W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.02mm | ||
Länge 3.04mm | ||
Breite 1.4mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
MOSFET der Serie Si2366DS von Vishay, 30 V maximale Drain-Source-Spannung, 5,8 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - SI2366DS-T1-GE3
Dieser MOSFET ist ein kompaktes N-Kanal-Verbesserungsgerät, das für die Oberflächenmontage in elektronischen Niederspannungs-Schaltkreisen entwickelt wurde. Er arbeitet in einem breiten Temperaturbereich und eignet sich für Leistungsmanagementfunktionen, bei denen eine effiziente Leitung und ein moderates Schalten erforderlich sind. Das Gehäuse ist ein gängiger SOT-23-Formfaktor für den Einsatz in dicht bestückten Baugruppen.
Merkmale und Vorteile:
• Maximale Ablassspannung 30 V ermöglicht Niederspannungs-Leistungsschaltung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 5,8 A für dauerhafte Strombelastbarkeit
• Niedrige Rds(on) von 42 mΩ zur Reduzierung der Leitungsverluste
• Vorwärtsspannung 0,85 V unterstützt effiziente Antriebsbedingungen
• Typische Gate-Ladung 6,4 nC ermöglicht kontrollierte Schaltenergie
• Verlustleistung von 2,1 W für thermisch begrenzte Anwendungen
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 5,8 A für dauerhafte Strombelastbarkeit
• Niedrige Rds(on) von 42 mΩ zur Reduzierung der Leitungsverluste
• Vorwärtsspannung 0,85 V unterstützt effiziente Antriebsbedingungen
• Typische Gate-Ladung 6,4 nC ermöglicht kontrollierte Schaltenergie
• Verlustleistung von 2,1 W für thermisch begrenzte Anwendungen
Anwendungen
• Geeignet für USB-Stromverteilung und Lastschaltung
• Ideal für den Einsatz in der Ausgangsstufe von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Batteriemanagement- und Ladestromkreisen verwendet
• Kann für die Low-Side-Schaltung von Motor-Treiber verwendet werden
• Nützlich für den Schutz der Stromschiene in der Unterhaltungselektronik
• Ideal für den Einsatz in der Ausgangsstufe von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Batteriemanagement- und Ladestromkreisen verwendet
• Kann für die Low-Side-Schaltung von Motor-Treiber verwendet werden
• Nützlich für den Schutz der Stromschiene in der Unterhaltungselektronik
Welches Gehäuse sollte ich für die automatisierte Montage erwarten?
Er wird in einem SOT-23-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das mit Standard-Pick-and-Place- und Reflow-Prozessen kompatibel ist.
Wie gut verträgt es raue thermische Umgebungen?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für einen breiten Bereich von Umgebungs- und erhöhten Sperrschichttemperaturen.
Welche Gate-Treiberamplitude ist zulässig?
Das Gerät nimmt bis zu ±20 V zwischen Gate und Quelle auf und ermöglicht so einen breiten Bereich von Antriebsspannungen innerhalb dieser Grenze.
Wie viele Pins sind für die Leiterplatten-Footprint-Routing verfügbar?
Es verwendet eine typische Drei-Pin-Konfiguration von Small-Signal-MOSFETs, wodurch das Footprint-Layout und die Routing vereinfacht werden.
Verwandte Links
- Vishay Si2366DS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 5.6 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2318CDS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 5.6 A 2.1 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 2.6 A 0.71 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / -3.1 A 1.6 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2333DDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 6 A 1.7 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay TrenchFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.1 A 1.6 W, 3-Pin SOT-23
- Vishay Si2319CDS Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 4.4 A 2.5 W, 3-Pin SOT-23