Vishay Isoliert Si4599DY Typ N, Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6.8 A 3.1 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
165-7255
Herst. Teile-Nr.:
SI4599DY-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N, Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

Si4599DY

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.045Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

-20V, +20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Maximale Verlustleistung Pd

3.1W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Länge

5mm

Breite

4mm

Normen/Zulassungen

JEDEC JS709A, RoHS

Höhe

1.55mm

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET, Vishay Semiconductor


MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor


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