Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 250 V / 64 A 300 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
165-8068
Herst. Teile-Nr.:
IPB200N25N3GATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

64A

Drain-Source-Spannung Vds max.

250V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

OptiMOS 3

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

64nC

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.57mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

9.45 mm

Länge

10.31mm

Automobilstandard

Nein

RoHS Status: Nicht zutreffend

Ursprungsland:
CN

Infineon OptiMOS™ MOSFET der Serie 3, 64 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom, 300 W maximale Verlustleistung - IPB200N25N3GATMA1


Dieser N-Kanal-MOSFET wurde für ein effizientes Leistungsmanagement in verschiedenen elektronischen Anwendungen entwickelt und verfügt über einen maximalen kontinuierlichen Drain-Strom von 64A und eine Nennspannung von 250V. Sein robustes thermisches Verhalten und sein niedriger Durchlasswiderstand tragen zu einer effektiven elektrischen Leistung über einen weiten Temperaturbereich bei und machen ihn für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung geeignet.

Eigenschaften und Vorteile


• Optimales Produkt aus Gate-Ladung und RDS(on) erhöht die Effizienz

• Niedriger Einschaltwiderstand minimiert den Leistungsverlust während des Betriebs

• Betriebstemperaturen bis zu +175°C ermöglichen vielfältige Anwendungen

• Entspricht den RoHS- und halogenfreien Standards für eine umweltfreundliche Nutzung

• Kompaktes D2PAK-Design und Oberflächenmontage erleichtern die Integration

• Qualifiziert nach JEDEC für Zuverlässigkeit in Zielanwendungen

Anwendungsbereich


• Einsatz in Stromversorgungen für Automatisierungssysteme

• Geeignet für hocheffiziente Umrichter für erneuerbare Energien

• Eingesetzt in der Motorsteuerung von Industriemaschinen

• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Tischnetzteilen

• Anwendung in Elektrofahrzeugen für ein effektives Energiemanagement

Welche Maßnahmen sollten ergriffen werden, um eine optimale Leistung während der Installation zu gewährleisten?


Es ist wichtig, ein effektives Wärmemanagementsystem zu unterhalten, um die Wärme abzuleiten und sicherzustellen, dass das Gerät innerhalb der angegebenen Temperaturgrenzen arbeitet.

Kann dieses Bauteil in Anwendungen eingesetzt werden, die ein schnelles Umschalten erfordern?


Ja, er eignet sich aufgrund seiner schnellen Schaltfähigkeit für Hochfrequenzanwendungen wie DC-DC-Wandler und Treiber.

Gibt es ein bestimmtes Schaltungsdesign, das für eine optimale Nutzung empfohlen wird?


Eine geeignete Gate-Treiberschaltung kann die Leistung verbessern, insbesondere in Bezug auf die Ein- und Ausschaltzeiten, was zur Verringerung der Schaltverluste beiträgt.

Was ist bei den Umweltbedingungen während des Betriebs zu beachten?


Achten Sie darauf, dass die Umgebungstemperaturen innerhalb der Betriebsgrenzen von -55°C bis +175°C bleiben, um eine thermische Schädigung zu vermeiden.

Wie verhält sich dieser MOSFET bei hoher Belastung?


Er bewältigt effizient einen kontinuierlichen Drain-Strom von 64A bei gleichzeitig niedrigem On-Widerstand, wodurch die Überhitzung reduziert und die Zuverlässigkeit unter Last verbessert wird.

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