Infineon CoolMOS CFD IPB65R660CFDATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 6 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
- RS Best.-Nr.:
- 165-8271
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R660CFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 165-8271
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R660CFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: Ausgenommen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
Leistungs-MOSFET CoolMOS™CE/CFD von Infineon
MOSFET-Transistoren, Infineon
Das große und umfassende Portfolio an MOSFET-Geräten von Infineon enthält die Produktfamilien CoolMOS, OptiMOS und StrongIRFET. Sie bieten erstklassige Leistung für einen höheren Wirkungsgrad, höhere Leistungsdichte und Wirtschaftlichkeit. Designs, die eine hohe Qualität und erweiterte Schutzmerkmale erfordern, profitieren von gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassenen MOSFETs.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 6 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 700 V |
| Gehäusegröße | D2PAK (TO-263) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 660 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4.5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3.5V |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 9.45mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 22 nC |
| Länge | 10.31mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 4.57mm |
| Serie | CoolMOS CFD |
- RS Best.-Nr.:
- 165-8271
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB65R660CFDATMA1
- Marke:
- Infineon