DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 12 V / 11 A 1.2 W, 3-Pin SC-59
- RS Best.-Nr.:
- 165-8326
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN1019USN-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Herst. Teile-Nr.:
- DMN1019USN-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 12V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | SC-59 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 41mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.2W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50.6nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3.1mm | |
| Höhe | 1.3mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 12V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße SC-59 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 41mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.2W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50.6nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3.1mm | ||
Höhe 1.3mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal-MOSFET, 12 V bis 28 V, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
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