Nexperia BST82 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 190 mA 830 mW, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 166-1262
- Herst. Teile-Nr.:
- BST82,215
- Marke:
- Nexperia
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 166-1262
- Herst. Teile-Nr.:
- BST82,215
- Marke:
- Nexperia
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Nexperia | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 190mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Serie | BST82 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 10Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 830mW | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 1.4mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Nexperia | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 190mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Serie BST82 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 10Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 830mW | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 1.4mm | ||
Höhe 1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET, 100 V und mehr, Nexperia
MOSFET-Transistoren, NXP Semiconductors
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