onsemi QFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 3 A 39 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
166-1890
Herst. Teile-Nr.:
FQPF3N80C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

800V

Serie

QFET

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

13nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.4V

Maximale Verlustleistung Pd

39W

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.7 mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.16mm

Höhe

9.19mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET QFET®, bis zu 5,9 A, Fairchild Semiconductor


Die neuen planaren QFET®-MOSFETs von Fairchild Semiconductor verwenden fortschrittliche, proprietäre Technologie für erstklassige Leistung in einer Vielzahl von Anwendungen, z. B. Netzteile, PFC (Leistungsfaktorkorrektur), DC/DC-Wandler, Plasmabildschirme (PDP), Lampenstarter und Bewegungssteuerung.

Sie bieten einen geringeren Durchlassverlust durch Senkung des Widerstands (RDS(ein)) sowie einen geringeren Schaltverlust durch Absenken der Gate-Ladung (QG) und der Ausgangskapazität (Coss). Durch die fortschrittliche QFET®-Prozesstechnologie kann Fairchild im Vergleich zu konkurrierenden planaren MOSFET-Geräten eine bessere Leistungszahl bieten.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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