onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 6.3 A 1.6 W, 6-Pin SSOT
- RS Best.-Nr.:
- 166-2423
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC655BN
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.474.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 14. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.158 | CHF.481.95 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2423
- Herst. Teile-Nr.:
- FDC655BN
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | SSOT | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 36mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1mm | |
| Breite | 1.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße SSOT | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 36mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1mm | ||
Breite 1.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,3 A 1,6 W, 6-Pin SSOT-6
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 5,5 A 1,6 W, 6-Pin SSOT-6
- onsemi PowerTrench N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 2,2 A; 3 A 960 mW, 6-Pin SSOT-6
- onsemi PowerTrench P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 6 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 6 A 1,6 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 3 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 4,3 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 2,3 A 1,6 W, 6-Pin SOT-23