onsemi QFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 33 A 3.75 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 166-2531
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB34P10TM
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.1.407 | CHF.1’121.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-2531
- Herst. Teile-Nr.:
- FQB34P10TM
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 33A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | QFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 85nC | |
| Durchlassspannung Vf | -4V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.75W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.67mm | |
| Breite | 9.65 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 33A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie QFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 85nC | ||
Durchlassspannung Vf -4V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.75W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.83mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.67mm | ||
Breite 9.65 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
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