onsemi PowerTrench N/P-Kanal-Kanal Dual, SMD MOSFET 40 V / 4,4 A; 6,2 A 2 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-2595
Herst. Teile-Nr.:
FDS4897C
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N, P

Dauer-Drainstrom max.

4,4 A; 6,2 A

Drain-Source-Spannung max.

40 V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

29 mΩ, 46 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1V

Verlustleistung max.

2 W

Transistor-Konfiguration

Isoliert

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Breite

4mm

Länge

5mm

Gate-Ladung typ. @ Vgs

14 nC @ 10 V, 20 nC @ 10 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Transistor-Werkstoff

Si

Höhe

1.5mm

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Zweifach-N/P-Kanal-MOSFET PowerTrench®, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFETs sind optimierte Netzschalter, die bieten eine erhöhte Systemeffizienz und Leistungsdichte bieten. Sie kombinieren eine geringe Gate-Ladung (QG) mit geringer Umkehr-Erholungsladung (Qrr) und einer Diode mit weichem Umkehr-Erholungsgehäuse, was zu einer schnellen Schaltung der Synchrongleichrichtung in AC/DC-Netzteilen führt.

Die neuesten PowerTrench® MOSFETs nutzen eine abgeschirmte Gatterstruktur, die für Ladungsbalance sorgt. Durch die Verwendung dieser fortschrittlichen Technologie ist die Leistungszahl dieser Geräte erheblich niedriger als bei der Vorgängergeneration.

Durch die Leistung der Diode mit dem weichen Gehäuse der PowerTrench® MOSFETs kann ein Klemmdiodenstromkreise eliminiert oder ein MOSFET mit höherer Nennspannung ersetzt werden.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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