onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 10.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-2602
Herst. Teile-Nr.:
FDS4480
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

21mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Höhe

1.5mm

Breite

4 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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