onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 10.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 166-2602
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4480
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 166-2602
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS4480
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 10.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 21mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Breite | 4mm | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 21mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.5mm | ||
Breite 4mm | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 10.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 3.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 11 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Lot MOSFET Erweiterung 30 V / 8.8 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 11 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 15 A 2.5 W, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 18.5 A 2.5 W, 8-Pin SOIC