onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11,6 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-2625
Herst. Teile-Nr.:
FDS8880
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

11,6 A

Drain-Source-Spannung max.

30 V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

SOIC

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand max.

10 mΩ

Channel-Modus

Enhancement

Gate-Schwellenspannung min.

1.2V

Verlustleistung max.

2,5 W

Transistor-Konfiguration

Einfach

Gate-Source Spannung max.

-20 V, +20 V

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Breite

4mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Länge

5mm

Transistor-Werkstoff

Si

Gate-Ladung typ. @ Vgs

23 nC @ 10 V

Betriebstemperatur min.

–55 °C

Höhe

1.5mm

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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