onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 6.1 A 5 W, 8-Pin SOIC

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RS Best.-Nr.:
166-3360
Herst. Teile-Nr.:
FDS5351
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOIC

Serie

PowerTrench

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58.8mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

5W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.57mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

3.9 mm

Länge

4.9mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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