onsemi Isoliert PowerTrench N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 166-3363
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS9945
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF 632.50
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 01. Juni 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF 0.253 | CHF 638.83 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-3363
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS9945
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | PowerTrench | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Durchlassspannung Vf | 800mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Breite | 4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie PowerTrench | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Durchlassspannung Vf 800mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Breite 4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 3.5 A 31 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 4.7 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 2.3 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7 A 2 W, 8-Pin SOIC