onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 166-3363
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS9945
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.555.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 07. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF.0.222 | CHF.560.55 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-3363
- Herst. Teile-Nr.:
- FDS9945
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 100mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Isoliert | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.5mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 100mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Isoliert | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.5mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 3.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 100 V Erweiterung / 3.5 A 31 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 2.3 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 80 V Erweiterung / 4.7 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ P-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 7 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.5 A 2 W, 8-Pin SOIC
- onsemi Isoliert PowerTrench Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 6 A 2 W, 8-Pin SOIC