onsemi PowerTrench N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 46 A 56 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 166-3376
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD6690A
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF 782.50
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | CHF 0.313 | CHF 792.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 166-3376
- Herst. Teile-Nr.:
- FDD6690A
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | PowerTrench | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 19mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -20V, +20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 56W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie PowerTrench | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 19mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -20V, +20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 56W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.39mm | ||
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor
MOSFET-Transistoren, ON Semi
On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.
On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.
Verwandte Links
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche PowerTrench-MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 69 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 145 A 153 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 50 A 65 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 42 A 43 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 6.7 A 42 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 57 A 44 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 15.7 A 50 W, 3-Pin TO-252
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 8 A 132 W, 3-Pin TO-252