onsemi PowerTrench Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 11.5 A 69 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
166-3576
Herst. Teile-Nr.:
FDD5353
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

11.5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

PowerTrench

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

20mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

46nC

Maximale Verlustleistung Pd

69W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

6.73mm

Breite

6.22 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 10 A bis 19,9 A, Fairchild Semiconductor


MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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