STMicroelectronics MDmesh DM2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 28 A 210 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 168-5899
- Herst. Teile-Nr.:
- STW35N60DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 168-5899
- Herst. Teile-Nr.:
- STW35N60DM2
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 28A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 110mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 210W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -6.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 54nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Breite | 5.15 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 28A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 210W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -6.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 54nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 20.15mm | ||
Breite 5.15 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal Serie MDmesh DM2, STMicroelectronics
Die MOSFETs der Serie MDmesh DM2 bieten einen niedrigen RDS(on), und mit der verbesserten Sperrerholungszeit für eine hohe Effizienz wurde diese Serie über phasenverschobene Vollbrücken-ZVS-Topologien optimiert.
Hohe dV/dt-Fähigkeit für verbesserte Systemzuverlässigkeit
AEC-Q101-qualifiziert
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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