STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 9 A 40 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-6692
- Herst. Teile-Nr.:
- STP10NK80ZFP
- Marke:
- STMicroelectronics
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CHF.107.10
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.2.142 | CHF.107.10 |
| 100 - 450 | CHF.1.712 | CHF.85.47 |
| 500 - 950 | CHF.1.523 | CHF.76.18 |
| 1000 - 4950 | CHF.1.292 | CHF.64.37 |
| 5000 + | CHF.1.229 | CHF.61.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-6692
- Herst. Teile-Nr.:
- STP10NK80ZFP
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 900mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 72nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 40W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 10.4mm | |
| Höhe | 9.3mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 900mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 72nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 40W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 10.4mm | ||
Höhe 9.3mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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