STMicroelectronics FDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 10 A 90 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
168-7485
Herst. Teile-Nr.:
STP11NM60ND
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Leistungs-MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

FDmesh

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.45Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±25 V

Maximale Verlustleistung Pd

90W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

30nC

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

15.75mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

4.6 mm

Länge

10.4mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal FDmesh™ Leistungs-MOSFET, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


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