STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 900 V / 9.2 A 200 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 168-7530
- Herst. Teile-Nr.:
- STW11NK90Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 60 | CHF.4.101 | CHF.122.90 |
| 90 - 480 | CHF.3.272 | CHF.98.20 |
| 510 - 960 | CHF.2.909 | CHF.87.39 |
| 990 - 4980 | CHF.2.454 | CHF.73.63 |
| 5010 + | CHF.2.353 | CHF.70.66 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 168-7530
- Herst. Teile-Nr.:
- STW11NK90Z
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 980mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 95nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 200W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 20.15mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 980mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 95nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 200W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 20.15mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 700 V bis 1200 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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