STMicroelectronics MDmesh M5 STD11N65M5 N-Kanal, SMD MOSFET 710 V / 9 A 85 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
- RS Best.-Nr.:
- 168-7624
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Nicht mehr im Sortiment
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- 168-7624
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics
Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 9 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 710 V |
| Gehäusegröße | DPAK (TO-252) |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 480 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 5V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 3V |
| Verlustleistung max. | 85 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | –25 V, +25 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 6.2mm |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Länge | 6.6mm |
| Höhe | 2.4mm |
| Serie | MDmesh M5 |
- RS Best.-Nr.:
- 168-7624
- Herst. Teile-Nr.:
- STD11N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics