MDmesh M5 STD11N65M5 N-Kanal MOSFET, 710 V / 9 A, 85 W, DPAK (TO-252) 3-Pin

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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

N-Kanal MDmesh™ M5-Serie, STMicroelectronics

Die Leistungs-MOSFETs MDmesh M5 sind für Hochleistungs-PFC- und -PWM-Topologien optimiert. Die Hauptmerkmale umfassen geringe Verluste in Durchlassrichtung pro Siliziumfläche und eine geringe Gate-Ladung. Sie wurden für energiebewusste, kompakte und zuverlässige Anwendungen mit harten Schaltvorgängen wie Solarstromrichter, Netzteile für Verbrauchergeräte und elektronische Beleuchtungssteuerungen entwickelt.

MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N
Dauer-Drainstrom max. 9 A
Drain-Source-Spannung max. 710 V
Gehäusegröße DPAK (TO-252)
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 3
Drain-Source-Widerstand max. 480 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 5V
Gate-Schwellenspannung min. 3V
Verlustleistung max. 85 W
Transistor-Konfiguration Einfach
Gate-Source Spannung max. –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip 1
Transistor-Werkstoff Si
Betriebstemperatur max. +150 °C
Höhe 2.4mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs 17 nC @ 10 V
Serie MDmesh M5
Länge 6.6mm
Breite 6.2mm
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