Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220

RS Best.-Nr.:: 168-7774
Herst. Teile-Nr.:: TK35E08N1
Marke:: Toshiba

Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 168-7774
Herst. Teile-Nr.:: TK35E08N1
Marke:: Toshiba

TK35E08N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

RS Best.-Nr.:: 168-7774
Herst. Teile-Nr.:: TK35E08N1
Marke:: Toshiba

TK35E08N1, Silicon N-channel MOSFET (U-MOSVIII-H) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	55 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Serie	TK
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	12,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	72 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.16mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.45mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Höhe	15.1mm

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	N
Dauer-Drainstrom max.	55 A
Drain-Source-Spannung max.	80 V
Serie	TK
Gehäusegröße	TO-220
Montage-Typ	THT
Pinanzahl	3
Drain-Source-Widerstand max.	12,2 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	4V
Verlustleistung max.	72 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	-20 V, +20 V
Länge	10.16mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	4.45mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	25 nC @ 10 V
Höhe	15.1mm

Toshiba TK TK35E08N1 N-Kanal, THT MOSFET 80 V / 55 A 72 W, 3-Pin TO-220

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba

MOSFET N-Kanal, Serie TK3x, Toshiba