Toshiba TK TK58E06N1 N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 105 A 110 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 168-7779
- Herst. Teile-Nr.:
- TK58E06N1
- Marke:
- Toshiba
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- Herst. Teile-Nr.:
- TK58E06N1
- Marke:
- Toshiba
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- JP
Produktdetails
MOSFET-Transistoren, Toshiba
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 105 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | TO-220 |
| Serie | TK |
| Montage-Typ | THT |
| Pinanzahl | 3 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 5,4 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V |
| Verlustleistung max. | 110 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Länge | 10.16mm |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 46 nC @ 10 V |
| Breite | 4.45mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Höhe | 15.1mm |
- RS Best.-Nr.:
- 168-7779
- Herst. Teile-Nr.:
- TK58E06N1
- Marke:
- Toshiba