Toshiba TPC TPC8125 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,9 W, 8-Pin SOP

RS Best.-Nr.:: 168-7782
Herst. Teile-Nr.:: TPC8125
Marke:: Toshiba

Toshiba TPC TPC8125 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,9 W, 8-Pin SOP

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 168-7782
Herst. Teile-Nr.:: TPC8125
Marke:: Toshiba

TPC8125, Silicon P-Channel MOSFET (U-MOSVI) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

RS Best.-Nr.:: 168-7782
Herst. Teile-Nr.:: TPC8125
Marke:: Toshiba

TPC8125, Silicon P-Channel MOSFET (U-MOSVI) Data Sheet
ESD Control Selection Guide V1

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOP
Serie	TPC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	17 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Verlustleistung max.	1,9 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +20 V
Länge	4.9mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	64 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	1.52mm

Eigenschaft	Wert
Channel-Typ	P
Dauer-Drainstrom max.	10 A
Drain-Source-Spannung max.	30 V
Gehäusegröße	SOP
Serie	TPC
Montage-Typ	SMD
Pinanzahl	8
Drain-Source-Widerstand max.	17 mΩ
Channel-Modus	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.	2V
Verlustleistung max.	1,9 W
Transistor-Konfiguration	Einfach
Gate-Source Spannung max.	–25 V, +20 V
Länge	4.9mm
Gate-Ladung typ. @ Vgs	64 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max.	+150 °C
Breite	3.9mm
Anzahl der Elemente pro Chip	1
Transistor-Werkstoff	Si
Höhe	1.52mm

Toshiba TPC TPC8125 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 10 A 1,9 W, 8-Pin SOP

MOSFET-P-Kanal, TPC-Serie, Toshiba

MOSFET-P-Kanal, TPC-Serie, Toshiba