STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 138 A 625 W, 3-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 168-8929
- Herst. Teile-Nr.:
- STY145N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
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|---|---|---|
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- 168-8929
- Herst. Teile-Nr.:
- STY145N65M5
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 138A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | MDmesh | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 414nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 625W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 15.9mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.3 mm | |
| Höhe | 20.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 138A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie MDmesh | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 414nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 625W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 15.9mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.3 mm | ||
Höhe 20.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
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