DiodesZetex ZXMHC6A07N8TC N/P-Kanal-Kanal Quad, SMD MOSFET 60 V / 1,4 A; 1,8 A 1,36 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 169-0719
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC6A07N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
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| Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
| 2500 + | CHF.0.504 | CHF.1'249.50 |
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- RS Best.-Nr.:
- 169-0719
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC6A07N8TC
- Marke:
- DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
- Ursprungsland:
- CN
Produktdetails
MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.
MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N, P |
| Dauer-Drainstrom max. | 1,4 A; 1,8 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V |
| Gehäusegröße | SOIC |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 350 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 3V |
| Verlustleistung max. | 1,36 W |
| Transistor-Konfiguration | Vollbrücke |
| Gate-Source Spannung max. | -20 V, +20 V |
| Breite | 4mm |
| Länge | 5mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 |
| Transistor-Werkstoff | Si |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 3,2 nC @ 10 V, 5,1 nC @ 10 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.5mm |
- RS Best.-Nr.:
- 169-0719
- Herst. Teile-Nr.:
- ZXMHC6A07N8TC
- Marke:
- DiodesZetex