Teile-Nr.

ZXMHC6A07N8TC N/P-Kanal-Kanal, Quad MOSFET, 60 V / 1,4 A

Abbildung stellvertretend für Produktreihe


Voraussichtlich ab 08.06.2021 verfügbar.
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RS Best.-Nr.:
169-0719
Herst. Teile-Nr.:
ZXMHC6A07N8TC
Marke:
DiodesZetex
Ursprungsland:
CN
StückPro StückPro Rolle*
2500 +CHF.0.421CHF.1'061.925
*Bitte VPE beachten

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.


EigenschaftWert
Channel-TypN, P
Dauer-Drainstrom max.1,4 A; 1,8 A
Drain-Source-Spannung max.60 V
GehäusegrößeSOIC
Montage-TypSMD
Pinanzahl8
Drain-Source-Widerstand max.350 mΩ
Channel-ModusEnhancement
Gate-Schwellenspannung max.3V
Verlustleistung max.1,36 W
Transistor-KonfigurationVollbrücke
Gate-Source Spannung max.-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip4
Gate-Ladung typ. @ Vgs3,2 nC @ 10 V, 5,1 nC @ 10 V
Länge5mm
Transistor-WerkstoffSi
Betriebstemperatur max.+150 °C
Breite4mm
Höhe1.5mm
Betriebstemperatur min.–55 °C