ZXMHC6A07N8TC N/P-Kanal-Kanal, Quad MOSFET, 60 V / 1,4 A; 1,8 A, 1,36 W, SOIC 8-Pin

  • RS Best.-Nr. 169-0719
  • Herst. Teile-Nr. ZXMHC6A07N8TC
  • Marke DiodesZetex
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Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Zertifikat anzeigen)
Ursprungsland: CN
Produktdetails

MOSFET-H-Brücke mit Complementary Enhancement Mode, Diodes Inc.

MOSFET-Transistoren, Diodes Inc.

Technische Daten
Eigenschaft Wert
Channel-Typ N, P
Dauer-Drainstrom max. 1,4 A; 1,8 A
Drain-Source-Spannung max. 60 V
Gehäusegröße SOIC
Montage-Typ SMD
Pinanzahl 8
Drain-Source-Widerstand max. 350 mΩ
Channel-Modus Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. 3V
Verlustleistung max. 1,36 W
Transistor-Konfiguration Vollbrücke
Gate-Source Spannung max. -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip 4
Gate-Ladung typ. @ Vgs 3,2 nC @ 10 V, 5,1 nC @ 10 V
Betriebstemperatur max. +150 °C
Betriebstemperatur min. –55 °C
Breite 4mm
Höhe 1.5mm
Transistor-Werkstoff Si
Länge 5mm
Voraussichtlich ab 23.11.2020 zur Lieferung verfügbar. Lieferung erfolgt innerhalb von 5 Werktagen.
Preis pro: Stück (Auf einer Rolle von 2500)
CHF .0.468
(ohne MwSt.)
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Pro Rolle*
2500 +
CHF.0.468
CHF.1'167.240
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