Infineon BSC050N03LS G BSC050N03LSGATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 80 A 50 W, 8-Pin TDSON
- RS Best.-Nr.:
- 170-2271
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050N03LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
Nicht mehr im Sortiment
- RS Best.-Nr.:
- 170-2271
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050N03LSGATMA1
- Marke:
- Infineon
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Der Infineon BSC050N03LS G ist der OptiMOS 25V MOSFET und ist die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Datenkommunikations- und Telekommunikationsanwendungen.
Extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung
Niedrigster Betriebswiderstand in kleinen Gehäusen
Einfache Integration
Niedrigster Betriebswiderstand in kleinen Gehäusen
Einfache Integration
Technische Daten
Eigenschaft | Wert |
|---|---|
| Channel-Typ | N |
| Dauer-Drainstrom max. | 80 A |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V |
| Gehäusegröße | TDSON |
| Montage-Typ | SMD |
| Pinanzahl | 8 |
| Drain-Source-Widerstand max. | 7,5 mΩ |
| Channel-Modus | Enhancement |
| Gate-Schwellenspannung max. | 2.2V |
| Gate-Schwellenspannung min. | 1V |
| Verlustleistung max. | 50 W |
| Transistor-Konfiguration | Einfach |
| Gate-Source Spannung max. | 20 V |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 13 nC @ 4,5 V |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C |
| Länge | 5.49mm |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 |
| Breite | 6.35mm |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C |
| Höhe | 1.1mm |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.1V |
| Serie | BSC050N03LS G |
- RS Best.-Nr.:
- 170-2271
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC050N03LSGATMA1
- Marke:
- Infineon