MagnaChip N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 20 A 34 W, 3-Pin TO-220F
- RS Best.-Nr.:
- 170-3044
- Herst. Teile-Nr.:
- MMF65R190PTH
- Marke:
- MagnaChip
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 170-3044
- Herst. Teile-Nr.:
- MMF65R190PTH
- Marke:
- MagnaChip
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | MagnaChip | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 20 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 650 V | |
| Gehäusegröße | TO-220F | |
| Montage-Typ | THT | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand max. | 190 mΩ | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Gate-Schwellenspannung max. | 4V | |
| Verlustleistung max. | 34 W | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Gate-Source Spannung max. | -30 V, +30 V | |
| Länge | 10.71mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Breite | 4.93mm | |
| Gate-Ladung typ. @ Vgs | 53 nC @ 10 V | |
| Transistor-Werkstoff | Si | |
| Betriebstemperatur max. | +150 °C | |
| Höhe | 16.13mm | |
| Diodendurchschlagsspannung | 1.4V | |
| Betriebstemperatur min. | –55 °C | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke MagnaChip | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 20 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 650 V | ||
Gehäusegröße TO-220F | ||
Montage-Typ THT | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand max. 190 mΩ | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Gate-Schwellenspannung max. 4V | ||
Verlustleistung max. 34 W | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Gate-Source Spannung max. -30 V, +30 V | ||
Länge 10.71mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Breite 4.93mm | ||
Gate-Ladung typ. @ Vgs 53 nC @ 10 V | ||
Transistor-Werkstoff Si | ||
Betriebstemperatur max. +150 °C | ||
Höhe 16.13mm | ||
Diodendurchschlagsspannung 1.4V | ||
Betriebstemperatur min. –55 °C | ||
- Ursprungsland:
- CN
Super Junction-MOSFET (SJ)
Diese MOSFETs verwenden die Super Junction-Technologie von MagnaChip, um Widerstand und Gate-Ladung gering zu halten. Sie sind sehr wirksam durch den Einsatz optimierter Ladungskopplungstechnologie.
Geringe elektromagnetische Störungen
Geringer Leistungsverlust durch Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringen Widerstand
Geringer Leistungsverlust durch Hochgeschwindigkeitsschaltung und geringen Widerstand
MOSFET-Transistoren, MagnaChip